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第三代半導體項目一期擬落地地塊位于深圳市寶安區(qū)石巖街道建工基地內(nèi)，地塊占地面積為73653㎡，地塊現(xiàn)狀主要為工業(yè)用地和宿舍，該地塊未來規(guī)劃為工業(yè)用地（M1）。

項目地塊歷史和現(xiàn)狀均不涉及電鍍、線路板、鉛酸蓄電池、制革、印染、化工、醫(yī)藥、危險化學品儲運等行業(yè)企業(yè)用地，也不涉及污水處理廠、垃圾填埋場、垃圾焚燒廠、危險廢物及污泥處理處置等市政基礎設施用地，現(xiàn)狀無化學品儲槽、儲罐、廢品回收站等公共配套設施，整個地塊為非疑似污染區(qū)域。

本調(diào)查采用專業(yè)判斷的方法對項目地塊進行初步布點采樣，土壤點位共布設 12 個點位，鉆孔深度為 2~8 m，采樣深度在 0.3~6 m之間，共送檢 40 個土壤樣品（包括 4 個土壤平行樣）；本次調(diào)查選取土壤點位中的 2 個點位作為地下水監(jiān)測井，但因地塊內(nèi)基巖層較淺，地塊內(nèi)未見淺層地下水，本次調(diào)查未能采集到地下水樣品。

因為調(diào)查地塊內(nèi)歷史和現(xiàn)狀主要為建材倉庫和機加工生產(chǎn)，土壤檢測分析項目參考《深圳市建設用地土壤環(huán)境調(diào)查評估工作指引（試行）》中“其他行業(yè)”的必測項目和總石油烴（C₁₀~C₄₀）。

根據(jù)本次調(diào)查結(jié)果，土壤初步采樣調(diào)查的樣品檢測指標均低于所選用的相應評價篩選值限值，因此判斷項目地塊不屬于污染地塊，不需要對該項目地塊進行下一步的詳細環(huán)境調(diào)查。從環(huán)境可行性角度論證，本次場地調(diào)查范圍內(nèi)土地可作為工業(yè)用地進行下一步的開發(fā)利用。